UTV8100B
制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
类别封装:晶体管 - 双极(BJT)- 射频,封装:55RT
技术参数:RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT
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参数详情:
制造商产品型号:UTV8100B制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT系列:晶体管 - 双极(BJT)- 射频零件状态:停产晶体管类型:NPN电压-集射极击穿(最大值):60V频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz噪声系数(dB,不同f时的典型值):-增益:8.5dB ~ 9.5dB功率-最大值:290W不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):20 @ 1A,5V电流-集电极(Ic)(最大值):15A工作温度:200°C(TJ)安装类型:底座安装封装:55RTUTV8100B的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。