MDS1100
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 射频，封装：55TU-1
技术参数：RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
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参数详情：
制造商产品型号：MDS1100制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频零件状态：停产晶体管类型：NPN电压-集射极击穿（最大值）：65V频率-跃迁：1.03GHz噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-增益：8.9dB功率-最大值：8750W不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：20 @ 5A，5V电流-集电极(Ic)（最大值）：100A工作温度：200°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：55TU-1MDS1100的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
