JAN2N7334
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：14-DIP（0.300，7.62mm）
技术参数：MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
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参数详情：
制造商产品型号：JAN2N7334制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Military, MIL-PRF-19500/597零件状态：有源FET类型：4 个 N 通道FET功能：标准漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：1A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：700 毫欧 @ 600mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：60nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-功率-最大值：1.4W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：14-DIP（0.300，7.62mm）JAN2N7334的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
