JAN2N6849U
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：18-ULCC（9.14x7.49）
技术参数：MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC
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参数详情：
制造商产品型号：JAN2N6849U制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Military, MIL-PRF-19500/564零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：6.5A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：320 毫欧 @ 6.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：34.8nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-FET功能：-功率耗散（最大值）：800mW（Ta），25W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：18-ULCC（9.14x7.49）JAN2N6849U的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
