APTSM120AM55CT1AG
制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SP1
技术参数:POWER MODULE - SIC
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参数详情:
制造商产品型号:APTSM120AM55CT1AG制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:POWER MODULE - SIC系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:有源FET类型:2 个 N 通道(双),肖特基FET功能:碳化硅(SiC)漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)25°C时电流-连续漏极(Id):74A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 40A,20V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 2mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):272nC @ 20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5120pF @ 1000V功率-最大值:470W工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:底座安装封装:SP1APTSM120AM55CT1AG的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。