APTML202UM18R010T3AG
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP3
技术参数：MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3
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参数详情：
制造商产品型号：APTML202UM18R010T3AG制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：200V25°C时电流-连续漏极(Id)：109A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 50A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9880pF @ 25V功率-最大值：480W工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：SP3APTML202UM18R010T3AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
