APTMC120AM20CT1AG
制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
类别封装:FET - 模块,*
技术参数:MOSFET N-CH 1200V SP1
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参数详情:
制造商产品型号: APTMC120AM20CT1AG制造厂家名称: Microsemi Power Products Group功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V SP1系列: -FET 类型: 2 N 沟道(相角)FET 功能: 标准漏源极电压(Vdss): 1200V(1.2kV)电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 143A不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 17 毫欧 @ 100A,20V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 2mA(标准)不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 360nC @ 20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 5960pF @ 1000V功率 - 最大值: 600W安装类型: *封装/外壳: *供应商器件封装: *APTMC120AM20CT1AG的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。