APTMC120AM09CT3AG
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：FET - 模块，*
技术参数：MOSFET N-CH 1200V SP3F
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参数详情：
制造商产品型号: APTMC120AM09CT3AG制造厂家名称: Microsemi Power Products Group功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V SP3F系列: -FET 类型: 2 N 沟道（相角）FET 功能: 标准漏源极电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 295A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 9 毫欧 @ 200A，20V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.4V @ 40mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 644nC @ 20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 11000pF @ 1000V功率 - 最大值: 1250W安装类型: *封装/外壳: *供应商器件封装: *APTMC120AM09CT3AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
