APTM60A11FT1G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：场效应管模块，SP1
技术参数：MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
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参数详情：
制造商产品型号：APTM60A11FT1G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1系列：-FET 类型：2 个 N 通道（半桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：40A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：132 毫欧 @ 33A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：330nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10552pF @ 25V功率 - 最大值：390W安装类型：底座安装封装/外壳：SP1供应商器件封装：SP1APTM60A11FT1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
