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APTM20UM03FAG
  • 制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
  • 类别封装:场效应管模块,SP6
  • 技术参数:MOSFET N-CH 200V 580A SP6
  • (专注销售Microsemi电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
  • 参数详情:
  • 制造商产品型号:APTM20UM03FAG
  • 制造商:Microsemi Corporation(美高森美)
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 580A SP6
  • 系列:POWER MOS 7
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):580A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 290A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 15mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):840nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):43300pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2270W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP6
  • 供应商器件封装:SP6
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