APTM20TDUM16PG
制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SP6
技术参数:MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P
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参数详情:
制造商产品型号:APTM20TDUM16PG制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:停产FET类型:6 N-沟道(3 相桥)FET功能:标准漏源电压(Vdss):200V25°C时电流-连续漏极(Id):104A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):19 毫欧 @ 52A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):140nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):7220pF @ 25V功率-最大值:390W工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型:底座安装封装:SP6APTM20TDUM16PG的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。