APTM20DHM20TG
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP4
技术参数：MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4
（专注销售Microsemi电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：APTM20DHM20TG制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：2 N 沟道（双）非对称型FET功能：标准漏源电压（Vdss）：200V25°C时电流-连续漏极(Id)：89A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 44.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：112nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6850pF @ 25V功率-最大值：357W工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：SP4APTM20DHM20TG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
