APTM120SK56T1G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SP1
技术参数：MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
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参数详情：
制造商产品型号：APTM120SK56T1G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET N-CH 1200V 18A SP1系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：1200V25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：672 毫欧 @ 14A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：300nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7736pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：390W（Tc）工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装器件封装：SP1APTM120SK56T1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
