APTM120H29FG
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：场效应管模块，SP6
技术参数：MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
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参数详情：
制造商产品型号：APTM120H29FG制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6系列：POWER MOS 7FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：34A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：348 毫欧 @ 17A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：374nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10300pF @ 25V功率 - 最大值：780W安装类型：底座安装封装/外壳：SP6供应商器件封装：SP6APTM120H29FG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
