APTM10DHM09T3G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP3
技术参数：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
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参数详情：
制造商产品型号：APTM10DHM09T3G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：POWER MOS V?零件状态：停产FET类型：2 N 沟道（双）非对称型FET功能：标准漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：139A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 69.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：350nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9875pF @ 25V功率-最大值：390W工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：SP3APTM10DHM09T3G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
