APTM100H35FT3G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：场效应管模块，SP3
技术参数：MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
（专注销售Microsemi电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：APTM100H35FT3G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3系列：-FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：22A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：420 毫欧 @ 11A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：186nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5200pF @ 25V功率 - 最大值：390W安装类型：底座安装封装/外壳：SP3供应商器件封装：SP3APTM100H35FT3G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
