APTM100A40FT1G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP1
技术参数：MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
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参数详情：
制造商产品型号：APTM100A40FT1G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：2 个 N 通道（半桥）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：1000V（1kV）25°C时电流-连续漏极(Id)：21A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：480 毫欧 @ 18A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：305nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7868pF @ 25V功率-最大值：390W工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：SP1APTM100A40FT1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
