APTM08TAM04PG
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：场效应管模块，SP6-P
技术参数：MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
（专注销售Microsemi电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：APTM08TAM04PG制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P系列：-FET 类型：6 N-沟道（3 相桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：75V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.5 毫欧 @ 60A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：153nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4530pF @ 25V功率 - 最大值：138W安装类型：底座安装封装/外壳：SP6供应商器件封装：SP6-PAPTM08TAM04PG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
