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APTGT50H60T1G
  • 制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
  • 类别封装:IGBT模块,SP1
  • 技术参数:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
  • (专注销售Microsemi电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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  • 参数详情:
  • 制造商产品型号:APTGT50H60T1G
  • 制造商:Microsemi Corporation(美高森美)
  • 描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
  • 系列:-
  • IGBT 类型:沟道和场截止
  • 配置:全桥反相器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A
  • 功率 - 最大值:176W
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.9V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):250μA
  • 不同 Vce 时的输入电容 (Cies):3.15nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:是
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP1
  • 供应商器件封装:SP1
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