APTGT50H60T1G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：IGBT模块，SP1
技术参数：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
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参数详情：
制造商产品型号：APTGT50H60T1G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1系列：-IGBT 类型：沟道和场截止配置：全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）：600V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80A功率 - 最大值：176W不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.9V @ 15V，50A电流 - 集电极截止（最大值）：250μA不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：3.15nF @ 25V输入：标准NTC 热敏电阻：是安装类型：底座安装封装/外壳：SP1供应商器件封装：SP1APTGT50H60T1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
