APTGT35DA120D1G
制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:D1
技术参数:IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
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参数详情:
制造商产品型号:APTGT35DA120D1G制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1系列:晶体管 - IGBT - 模块零件状态:停产IGBT类型:沟槽型场截止配置:单路电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):55A功率-最大值:205W不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,35A电流-集电极截止(最大值):5mA不同?Vce时输入电容(Cies):2.5nF @ 25V输入:标准NTC热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型:底座安装封装:D1APTGT35DA120D1G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。