APTGT30X60T3G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：IGBT模块，SP3
技术参数：IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3
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参数详情：
制造商产品型号：APTGT30X60T3G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3系列：-IGBT 类型：沟道和场截止配置：三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）：600V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50A功率 - 最大值：90W不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.9V @ 15V，30A电流 - 集电极截止（最大值）：250μA不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：1.6nF @ 25V输入：标准NTC 热敏电阻：是安装类型：底座安装封装/外壳：SP3供应商器件封装：SP3APTGT30X60T3G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
