APTGT30DSK60T3G
制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:SP3
技术参数:IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3
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参数详情:
制造商产品型号:APTGT30DSK60T3G制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3系列:晶体管 - IGBT - 模块零件状态:停产IGBT类型:沟槽型场截止配置:双路降压斩波器电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):50A功率-最大值:90W不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A电流-集电极截止(最大值):250μA不同?Vce时输入电容(Cies):1.6nF @ 25V输入:标准NTC热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:底座安装封装:SP3APTGT30DSK60T3G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。