APTGT25A120T1G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：SP1
技术参数：IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP1
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参数详情：
制造商产品型号：APTGT25A120T1G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP1系列：晶体管 - IGBT - 模块零件状态：停产IGBT类型：沟槽型场截止配置：半桥电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A功率-最大值：156W不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，25A电流-集电极截止（最大值）：250μA不同?Vce时输入电容(Cies)：1.8nF @ 25V输入：标准NTC热敏电阻：是工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：SP1APTGT25A120T1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
