APTGT100H120G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：IGBT模块，SP6
技术参数：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
（专注销售Microsemi电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：APTGT100H120G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6系列：-IGBT 类型：沟道和场截止配置：全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：140A功率 - 最大值：480W不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.1V @ 15V，100A电流 - 集电极截止（最大值）：250μA不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：7.2nF @ 25V输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装/外壳：SP6供应商器件封装：SP6APTGT100H120G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
