APTC90H12T1G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP1
技术参数：MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
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参数详情：
制造商产品型号：APTC90H12T1G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：CoolMOS?零件状态：停产FET类型：4 个 N 通道（H 桥）FET功能：超级结漏源电压（Vdss）：900V25°C时电流-连续漏极(Id)：30A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 26A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 3mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：270nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6800pF @ 100V功率-最大值：250W工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：SP1APTC90H12T1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
