APTC80DDA15T3G
制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
类别封装:场效应管模块,SP3
技术参数:MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
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参数详情:
制造商产品型号:APTC80DDA15T3G制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3系列:-FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):800V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):28A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):150 毫欧 @ 14A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):180nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4507pF @ 25V功率 - 最大值:277W安装类型:底座安装封装/外壳:SP3供应商器件封装:SP3APTC80DDA15T3G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。