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APTC80DDA15T3G
  • 制造厂商:Microsemi(中文名:美高森美)
  • 类别封装:场效应管模块,SP3
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
  • (专注销售Microsemi电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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  • 参数详情:
  • 制造商产品型号:APTC80DDA15T3G
  • 制造商:Microsemi Corporation(美高森美)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
  • 系列:-
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):800V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):28A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):150 毫欧 @ 14A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):180nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4507pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:277W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP3
  • 供应商器件封装:SP3
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