APTC60AM83BC1G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP1
技术参数：MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
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参数详情：
制造商产品型号：APTC60AM83BC1G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：CoolMOS?零件状态：停产FET类型：3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）FET功能：超级结漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：36A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：83 毫欧 @ 24.5A、 10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 3mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：250nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7200pF @ 25V功率-最大值：250W工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：SP1APTC60AM83BC1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
