APT8M100B
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：单端场效应管，TO-247
技术参数：MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
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参数详情：
制造商产品型号：APT8M100B制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.8 欧姆 @ 4A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1885pF @ 25V功率 - 最大值：290W安装类型：通孔封装/外壳：TO-247-3供应商器件封装：TO-247 [B]APT8M100B的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
