APT80SM120J
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-227
技术参数：SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
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参数详情：
制造商产品型号：APT80SM120J制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：SICFET N-CH 1200V 51A SOT227系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：1200V25°C时电流-连续漏极(Id)：51A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 40A，20V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：235nC @ 20VVgs（最大值）：+25V，-10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-FET功能：-功率耗散（最大值）：273W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：底座安装器件封装：SOT-227APT80SM120J的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
