APT75GN120B2G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：单路IGBT，原厂封装
技术参数：IGBT 1200V 200A 833W TMAX
（专注销售Microsemi电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：APT75GN120B2G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 1200V 200A 833W TMAX系列：-IGBT 类型：沟道和场截止电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：225A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.1V @ 15V，75A功率 - 最大值：833WSwitching Energy：8045μJ （开）， 7640μJ （关）输入类型：标准Gate Charge：425nC25°C 时 Td（开/关）值：60ns/620nsTest Condition：800V, 75A, 1 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装/外壳：TO-247-3 变式安装类型：通孔供应商器件封装：*APT75GN120B2G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
