APT68GA60B2D40
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：单路IGBT，原厂封装
技术参数：IGBT 600V 121A 520W TO-247
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参数详情：
制造商产品型号：APT68GA60B2D40制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 600V 121A 520W TO-247系列：POWER MOS 8?IGBT 类型：PT电压 - 集射极击穿（最大值）：600V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：121ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：202A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.5V @ 15V，40A功率 - 最大值：520WSwitching Energy：715μJ （开）， 607μJ （关）输入类型：标准Gate Charge：198nC25°C 时 Td（开/关）值：21ns/133nsTest Condition：400V, 40A, 4.7 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装/外壳：TO-247-3 变式安装类型：通孔供应商器件封装：*APT68GA60B2D40的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
