APT65GP60B2G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：单路IGBT，原厂封装
技术参数：IGBT 600V 100A 833W TMAX
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参数详情：
制造商产品型号：APT65GP60B2G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 600V 100A 833W TMAX系列：POWER MOS 7IGBT 类型：PT电压 - 集射极击穿（最大值）：600V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：250A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，65A功率 - 最大值：833WSwitching Energy：605μJ （开）， 896μJ （关）输入类型：标准Gate Charge：210nC25°C 时 Td（开/关）值：30ns/91nsTest Condition：400V, 65A, 5 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装/外壳：TO-247-3 变式安装类型：通孔供应商器件封装：*APT65GP60B2G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
