APT50GT120B2RDLG
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3 变式
技术参数：IGBT 1200V 106A 694W TO-247
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参数详情：
制造商产品型号：APT50GT120B2RDLG制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 1200V 106A 694W TO-247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：Thunderbolt IGBT?零件状态：有源IGBT类型：NPT电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：106A电流-集电极脉冲(Icm)：150A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.7V @ 15V，50A功率-最大值：694W开关能量：3585μJ（开），1910μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：240nC25°C时Td（开/关）值：23ns/215ns测试条件：800V，50A，4.7 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3 变式APT50GT120B2RDLG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
