APT50GF120B2RG
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：单路IGBT，原厂封装
技术参数：IGBT 1200V 135A 781W TMAX
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参数详情：
制造商产品型号：APT50GF120B2RG制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 1200V 135A 781W TMAX系列：-IGBT 类型：NPT电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：135ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：150A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3V @ 15V，50A功率 - 最大值：781WSwitching Energy：3.6mJ （开）, 2.64mJ （关）输入类型：标准Gate Charge：340nC25°C 时 Td（开/关）值：25ns/260nsTest Condition：800V, 50A, 1 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装/外壳：TO-247-3 变式安装类型：通孔供应商器件封装：*APT50GF120B2RG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
