APT45GR65SSCD10
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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参数详情：
制造商产品型号：APT45GR65SSCD10制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：NPT电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：118A电流-集电极脉冲(Icm)：224A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，45A功率-最大值：543W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：203nC25°C时Td（开/关）值：15ns/100ns测试条件：433V，45A，4.3 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：80ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABAPT45GR65SSCD10的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
