APT45GP120J
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：IGBT模块，ISOTOP
技术参数：IGBT 1200V 75A 329W SOT227
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参数详情：
制造商产品型号：APT45GP120J制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 1200V 75A 329W SOT227系列：POWER MOS 7IGBT 类型：PT配置：单一电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75A功率 - 最大值：329W不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.9V @ 15V，45A电流 - 集电极截止（最大值）：500μA不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：3.94nF @ 25V输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装/外壳：ISOTOP供应商器件封装：ISOTOPAPT45GP120J的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
