APT33GF120B2RDQ2G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：单路IGBT，原厂封装
技术参数：IGBT 1200V 64A 357W TMAX
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参数详情：
制造商产品型号：APT33GF120B2RDQ2G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 1200V 64A 357W TMAX系列：-IGBT 类型：NPT电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：64ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：75A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3V @ 15V，25A功率 - 最大值：357WSwitching Energy：1.315μJ （开）， 1.515μJ （关）输入类型：标准Gate Charge：170nC25°C 时 Td（开/关）值：14ns/185nsTest Condition：800V, 25A, 4.3 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装/外壳：TO-247-3 变式安装类型：通孔供应商器件封装：*APT33GF120B2RDQ2G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
