APT30GP60B2DLG
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 600V 100A 463W TMAX
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参数详情：
制造商产品型号：APT30GP60B2DLG制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 600V 100A 463W TMAX系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：PT电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：100A电流-集电极脉冲(Icm)：120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，30A功率-最大值：463W开关能量：260μJ（开），250μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：90nC25°C时Td（开/关）值：13ns/55ns测试条件：400V，30A，5 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3APT30GP60B2DLG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
