APT20GF120BRDQ1G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 1200V 36A 200W TO247
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参数详情：
制造商产品型号：APT20GF120BRDQ1G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 1200V 36A 200W TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：NPT电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：36A电流-集电极脉冲(Icm)：64A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V，15A功率-最大值：200W开关能量：895μJ（开），840μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：100nC25°C时Td（开/关）值：10ns/120ns测试条件：800V，15A，4.3 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3APT20GF120BRDQ1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
