APT11GF120KRG
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
技术参数：IGBT 1200V 25A 156W TO220
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参数详情：
制造商产品型号：APT11GF120KRG制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 1200V 25A 156W TO220系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：NPT电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：25A电流-集电极脉冲(Icm)：44A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，8A功率-最大值：156W开关能量：300μJ（开），285μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：65nC25°C时Td（开/关）值：7ns/100ns测试条件：800V，8A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3APT11GF120KRG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
