APT102GA60B2
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：单路IGBT，原厂封装
技术参数：IGBT 600V 183A 780W TO247
（专注销售Microsemi电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：APT102GA60B2制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 600V 183A 780W TO247系列：POWER MOS 8?IGBT 类型：PT电压 - 集射极击穿（最大值）：600V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：183ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：307A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.5V @ 15V，62A功率 - 最大值：780WSwitching Energy：1.354mJ （开）, 1.614mJ （关）输入类型：标准Gate Charge：294nC25°C 时 Td（开/关）值：28ns/212nsTest Condition：400V, 62A, 4.7 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装/外壳：TO-247-3 变式安装类型：通孔供应商器件封装：*APT102GA60B2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
