APT100GT120JR
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：IGBT模块，ISOTOP
技术参数：IGBT 1200V 123A 570W SOT227
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参数详情：
制造商产品型号：APT100GT120JR制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 1200V 123A 570W SOT227系列：Thunderbolt IGBTIGBT 类型：NPT配置：单一电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：123A功率 - 最大值：570W不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.7V @ 15V，100A电流 - 集电极截止（最大值）：100μA不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：6.7nF @ 25V输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：ISOTOPAPT100GT120JR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
