APT100GN60B2G
制造厂商：Microsemi（中文名：美高森美）
类别封装：单路IGBT，原厂封装
技术参数：IGBT 600V 229A 625W TMAX
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参数详情：
制造商产品型号：APT100GN60B2G制造商：Microsemi Corporation（美高森美）描述：IGBT 600V 229A 625W TMAX系列：-IGBT 类型：沟道和场截止电压 - 集射极击穿（最大值）：600V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：229ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：300A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.85V @ 15V，100A功率 - 最大值：625WSwitching Energy：4.7mJ （开）, 2.675mJ （关）输入类型：标准Gate Charge：600nC25°C 时 Td（开/关）值：31ns/310nsTest Condition：400V, 100A, 1 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装/外壳：TO-247-3 变式安装类型：通孔供应商器件封装：*APT100GN60B2G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
